太阳能电池片主要原材料为单晶或多晶硅片，生产过程采用相同的技术和工艺流程基本相同。根据产品方案，本项目主要生产工艺的流程采用国内较为成熟的工艺路线，基本上是从硅片的开箱检测与装盒开始、然后在加工车间去除油污及制绒、扩散制作表面PN结然后检测、湿法刻蚀周边PN结及抽测效果、二次清洗，然后在表面处理车间完成制备表面减反射层、印刷背面电极、背电场、正面电极，然后经过高温烧结，最后经检测车间检测合格后入库。

太阳能电池硅片生产工艺流程图如下

主要工艺流程详解

(1) 清洗、制绒：首先用碱（或酸）腐蚀硅片，以去除硅片表面机械损伤。而后进行硅片表面绒化，现在常用的硅片的厚度 180mm左右。去除硅片表面损伤层是太阳电池制造的第一道常规工序，主要是通过化学腐蚀，硅片化学腐蚀的主要目的是消除切片带来的表面损伤，同时也能起到一定的绒面效果，从而减少光反射。

(2) 甩干：清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干。

(3) 扩散、刻蚀：多数厂家都选用p型硅片来制作太阳电池，那么一般用POCL3液态源作为扩散源。扩散设备可用横向石英管或链式扩散炉,进行磷扩散形成n 型层。扩散的最高温度可达到850-900℃。这种方法制出的结均匀性好，方块电阻的不均匀性小于10％，少子寿命大于10微秒。扩散过程遵从如下反应式：

4POCL3 ＋3O2（过量）→ 2P2O5＋2CL2（气）2P2O5＋5Si → 5SiO 2 + 4P

背腐蚀去磷硅玻璃和边缘P-N节：用化学方法除去扩散层SiO2与HF生成可溶于水的SiF62-，从而使硅表面的磷硅玻璃（掺P2O5的SiO2）溶解，化学反应为：SiO2 ＋6HF → H2（SiF6）＋2H2O

(4) 减反射：采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 技术在电池表面沉积一层氮化硅减反射膜，不但可以减少光的反射，由于在制备SiNx减反膜过程中大量的氢原子进入，能够起到很好的表面钝化和体钝化的效果，这对于具有大量晶界的多晶硅材料而言，由于晶界的悬挂健被饱和，从而降低了复合中心的作用。由于具有明显的表面钝化和体钝化作用，因此可以用比较差一些的材料来制作太阳电池。由于增强对光的吸收性的同时，氢原子对太阳电池起到很好的表面和体内钝化作用，从而提高了电池的短路电流和开路电压。

(5) 印刷+烧结：为了从电池上获取电流，一般在电池的正、背两面制作电极。正面栅网电极的形式和厚度要求一方面要有高的透过率，另一方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻。背面做成BSF结构，以减小表面电子复合,印刷后高温烧结。电池生产工序就完成了

(6) 检测分选：为了保证产品质量得一致性，通常要对每个电池测试，并按电流和功率大小进行分类，可根据电池效率进行分级。

(7) 包装入库：将分选好的电池片进行包装，并入库。